16289
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 900 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 15 A |
Крутизна характеристики, S | 15 S |
Пороговое напряжение на затворе, В | От -30 до +30 В |
Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Спецификация:
Подключение:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.