S8550 Транзистор

Артикул 11559

S8550 - Транзистор с PNP переходом

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	SOT-23
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	PNP
Рассеиваемая мощность, Вт	0.3 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	40 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	25 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	0.5 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	120
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	150 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В
Рабочая температура, °C	+150°C

Добавлено в корзину