H669A, NPN транзистор

Артикул 11637

H669A, NPN транзистор в корпусе TO-126ML

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-126ML
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	20 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	180 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	160 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	1.5 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	60
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	140 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В
Рабочая температура, °C	+150°C