2SD1658 Транзистор

Артикул 11941

Биполярный низкочастотный npn транзистор

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-3P
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	10 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	60 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	800 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	2 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	4000
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	100 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	8 В
Рабочая температура, °C	+150°C

Добавлено в корзину