FMMT717TA Транзистор PNP

Артикул 15184

Применение:

MOSFET и IGBT;
Выключатель нагрузки;
Зарядка батареи;
DC-DC преобразование.

Удалите этот товар из моего избранного
Добавьте этот товар к моему избранному
Скачать коммерческое предложение

Характеристики

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-236
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	PNP
Рассеиваемая мощность, Вт	0.625 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	12 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	12 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	2.5 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	300
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	80 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В
Рабочая температура, °C	+150°C

Подробнее

Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название биполярный, в отличие от полевого/униполярного транзистора. FMMT717TA является высокопроизводительным PNP транзистором 12В.

Спецификация: