MJE13009 биполярный транзистор, TO-220
15530
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип транзистора | BJT |
| Конструкция | Одиночный |
| Полярность NPN / PNP | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Напряжение коллектор–эмиттер BJT | 400 В (Постоянный ток, не импульсный; напряжение VCEO(sus), не 700 В VCEV) |
| Постоянный ток коллектора | 12 А (Постоянный ток, не импульсный; напряжение VCEO(sus), не 700 В VCEV) |
| Тип монтажа | Выводной (THT) |
Подробнее
Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. 13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.
Спецификация:
- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
- Ток коллектора, не более: 12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
- Корпус: TO-220

Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом
Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.
- Тип продукции
- Биполярный транзистор
- Тип подключения
- Контакты для пайки
- Структура транзистора
- NPN
- Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
- 700 В
- Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
- 400 В
- Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А
- 12 A
- Статический коэффициент передачи тока (hfe)
- 8
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц
- 4 МГц
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 100 Вт
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В
- 9 В
- Рабочая температура, °C
- +150°C
- Тип корпуса
- TO-220
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.