MJE13009 биполярный транзистор, TO-220

15530

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Подробнее

В наличии
								
							

150 ₸

Цена по прайсу: 165 ₸

Караганда
Много
Самовывоз сегодняиз магазина в Караганде
Доставка от 1 дняпо всему Казахстану

Характеристики

Тип транзистора BJT
Конструкция Одиночный
Полярность NPN / PNP NPN
Корпус TO-220
Напряжение коллектор–эмиттер BJT 400 В (Постоянный ток, не импульсный; напряжение VCEO(sus), не 700 В VCEV)
Постоянный ток коллектора 12 А (Постоянный ток, не импульсный; напряжение VCEO(sus), не 700 В VCEV)
Тип монтажа Выводной (THT)

Подробнее

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. 13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.
Спецификация:

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
  • Ток коллектора, не более: 12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Корпус: TO-220

Подключение:
Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом

Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.

Тип продукции
Биполярный транзистор
Тип подключения
Контакты для пайки
Структура транзистора
NPN
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
700 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
400 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А
12 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)
8
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц
4 МГц
Рассеиваемая мощность, Вт
100 Вт
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В
9 В
Рабочая температура, °C
+150°C
Тип корпуса
TO-220

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

MJE13009

Техническая документация

Файлы для загрузки (453.07k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MJE13009 биполярный транзистор, TO-220

MJE13009 биполярный транзистор, TO-220

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Напишите свой отзыв