Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
FP50R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
13422
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
Товар по предзаказу. Срок поставки 3-5 недель
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип транзистора | IGBT |
| Конструкция | Силовой модуль |
| Напряжение коллектор–эмиттер IGBT | 1200 В (Tvj = 25 °C) |
| Постоянный ток коллектора | 75 А (На один IGBT; Tc = 25 °C, Tvj = 150 °C; при Tc = 80 °C ток 50 А) |
| Рассеиваемая мощность | 280 Вт (Tc = 25 °C; требуется соответствующий теплоотвод) |
| Модель | FP50R12KT3 |
| Тип монтажа | Монтаж модуля |
Подробнее
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Высота: 17 mm
Длина: 122 mm
Ширина: 62 mm
Вид монтажа: Screw
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Другие названия товара №: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445
Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом
Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.
- Тип продукции
- IGBT модуль
- Тип подключения
- винтами, коннекторы FASTON
- Структура транзистора
- IGBT
- Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
- 1200 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
- 75 А
- Рабочая температура, °C
- от -40°C до +125°C
- Наличие встроенного диода
- Нет
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.