Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
PM200DVA120 IGBT-транзистор, 1200В, 200A
(Отреставрированный)
16429
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Этого товара нет в наличии
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип транзистора | IGBT |
| Конструкция | Силовой модуль |
| Напряжение коллектор–эмиттер IGBT | 1200 В |
| Постоянный ток коллектора | 200 А (На один IGBT; Tc = 25 °C; VD = 15 В, VCIN = 5 В) |
| Рассеиваемая мощность | 1033 Вт (Tc = 25 °C; требуется соответствующий теплоотвод) |
| Модель | PM200DVA120 |
| Тип монтажа | Монтаж модуля |
| Входное напряжение, В | 20 В |
| Выходное напряжение, В | 10 В |
| Габариты | 120х70х40.5 мм |
Подробнее
Cиловые модули - это изолированные базовые модули, предназначенные для передачи коммутации питания, работающих на частотах до 20 кГц. Встроенные схемы управления обеспечивают оптимальный привод затвора и защиту для устройств питания IGBT и диодов свободного хода.
Функциональная блок схема:
Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом
Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.
- Тип продукции
- IGBT транзистор
- Структура транзистора
- IGBT
- Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
- 1200 В
- Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А
- 200 А
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц
- ≤ 20 кГц
- Рабочая температура, °C
- от -20°C до +150°C
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.