STGB10NB37LZ, Транзистор

Артикул 11397

STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А D2PAK

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	D2PAK
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	125 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	400 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	10 А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.8 В
Управляющее напряжение, В	2.4 В
Рабочая температура, °C	от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода	Нет

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину