Фильтр
Загрузка ...
PTFE муфта для экструдера подходит...
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V
FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.