Фильтр

Включены фильтры:
    Входное напряжение, В
    Выходное напряжение, В
    Сила тока на выходе, А
    Структура транзистора
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А
    Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В
    Пороговое напряжение на затворе, В
    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Управляющее напряжение, В
    Тип корпуса
    Производитель
    Вес

    IGBT транзисторы

    Скидки

    на странице
    Показ 1 - 12 из 57 товаров
    • 230 тг

      GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP

      230 тг
      В наличии
    • 550 тг
      Восстановлен

      FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором

      550 тг
      В наличии
    • 1 600 тг

      K40H603 IGBT Транзистор N-канал. 80A. 306W. 600V. 1.95V. TO247

      1 600 тг
      В наличии
    • 2 090 тг

      Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 090 тг
      В наличии
    • 660 тг

      STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А D2PAK

      660 тг
      В наличии
    • 450 тг

      IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS

      450 тг
      В наличии
    • 2 195 тг

      FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 195 тг
      В наличии
    • 1 645 тг

      FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.

      1 645 тг
      В наличии
    • 1 100 тг

      K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком

      1 100 тг
      В наличии
    • 450 тг

      IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V

      450 тг
      В наличии
    • 2 850 тг

      RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 850 тг
      В наличии
    • 970 тг

      FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

      970 тг
      В наличии
    Показ 1 - 12 из 57 товаров