Дорогие наши клиенты! Выражаем вам свою признательность, благодарность и дарим самые теплые пожелания.
Пускай в вашей жизни будет только удача, успех и чудесное настроение. С наступающим Новым годом!
График работы всех магазинов:
С 31 декабря по 4 января - выходные дни.
5 и 6 января - рабочие дни.
7 января - выходной день.
Далее работаем по обычному графику.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправляться с 5 января.
Приносим свои извинения за возможные неудобства и желаем весело встретить приходящий год!
Уважаемые покупатели!
С 25 декабря 2025 года филиал в г. Алматы закрыт. Самовывоз из офиса в Алматы недоступен, но Вы также можете оформлять заказы с доставкой на нашем сайте.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V