Фильтр
Загрузка ...
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
K40H603 IGBT Транзистор N-канал. 80A. 306W. 600V. 1.95V. TO247
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V