Восстановлен IRFP240 MOSFET

IRFP240 MOSFET
(Отреставрированный)

10569

IRFP240  - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Подробнее

В наличии
								
							

900 ₸

Цена по прайсу: 991 ₸

Караганда
Ограничено
Самовывоз сегодняиз магазина в Караганде
Доставка от 1 дняпо всему Казахстану

Характеристики

Тип транзистора MOSFET
Конструкция Одиночный
Тип канала MOSFET N
Корпус TO-247AC
Напряжение сток–исток 200 В
Постоянный ток стока 20 А (T, °C: 25; точка T: TC; VGS, В: 10)
Сопротивление открытого канала 0,18 Ом (ID, А: 12; D ≤: 0.02; Импульс ≤, с: 0.0003; T, °C: 25; точка T: TJ; VGS, В: 10)
Рассеиваемая мощность 150 Вт (T, °C: 25; точка T: TC)
Модель IRFP240
Тип монтажа Выводной (THT)

Подробнее

Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.

Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом

Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.

Тип продукции
Полевой транзистор
Тип подключения
Контакты для пайки
Структура транзистора
N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт
150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В
200 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В
20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом
0.18 Ом
Крутизна характеристики, S
110 S
Рабочая температура, °C
+150°C
Тип корпуса
TO-247AC
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|
20 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|
4 В

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRFP240 MOSFET

IRFP240 MOSFET

IRFP240  - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв