Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 13 декабря, филиал в городе Алматы не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
AO3401A, Транзистор P-канал, 30В, 4А, 1.4Вт, 0.050Ом [SOT23]
SI2302CDS-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 2.6 А, 20 В, 0.045 Ом, 4.5 В, 400 мВ
B80NF03L-04 MOSFET Транзистор N-канал, 30 В, 80 А, 0.045 Ом, TO-263
IRF540 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.
IRF820 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).