MOSFET транзистор NCE30P30K, P-канал, −30 В, −30 А, TO-252-2L
19130
NCE30P30K — P-канальный силовой MOSFET производства Wuxi NCE Power Semiconductor с напряжением сток–исток −30 В, постоянным током стока до −30 А и сопротивлением открытого канала до 18 мОм при VGS = −10 В. Выполнен в корпусе TO-252-2L (DPAK) для поверхностного монтажа
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип транзистора | MOSFET |
| Конструкция | Одиночный |
| Тип канала MOSFET | P |
| Корпус | TO-252-2L |
| Напряжение сток–исток | 30 В (TC = 25 °C; P-канал, по модулю; при TC = 100 °C ток 21,2 А; паспорт NCE30P30K v1.0) |
| Постоянный ток стока | 30 А (TC = 25 °C; P-канал, по модулю; при TC = 100 °C ток 21,2 А; паспорт NCE30P30K v1.0) |
| Сопротивление открытого канала | 0,018 Ом (Максимум; VGS = −10 В, ID = −20 А; при −4,5 В / −15 А — 0,03 Ом) |
| Рассеиваемая мощность | 60 Вт (TC = 25 °C; P-канал, по модулю; при TC = 100 °C ток 21,2 А; паспорт NCE30P30K v1.0) |
| Пороговое напряжение затвора | 1,2–2,5 В (По модулю; VDS = VGS, ID = −250 мкА) |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Рабочее напряжение, В | ±20 В |
Подробнее
NCE30P30K представляет собой P-канальный MOSFET с индуцированным каналом, разработанный для коммутации сравнительно больших токов при низком напряжении. Производитель использует trench-структуру, обеспечивающую низкое сопротивление открытого канала и сравнительно небольшой заряд затвора.
Максимальное напряжение VDS составляет −30 В, а непрерывный ток стока при температуре корпуса 25 °C — −30 А. При 100 °C допустимый непрерывный ток снижается до −21,2 А. В версии datasheet v1.1 максимальный импульсный ток указан как −120 А.
Сопротивление открытого канала составляет максимум 18 мОм при VGS = −10 В и ID = −20 А, либо максимум 30 мОм при VGS = −4,5 В и ID = −15 А. Это позволяет использовать транзистор в высокотоковых ключах с относительно небольшими проводниковыми потерями.
Характеристики
- Маркировка: NCE30P30K
- Тип: силовой MOSFET
- Канал: P-канальный
- Режим: Enhancement Mode
- Максимальное напряжение сток–исток, VDS: −30 В
- Максимальное напряжение затвор–исток, VGS: ±20 В
- Постоянный ток стока, ID: −30 А при TC = 25 °C
- Постоянный ток стока при TC = 100 °C: −21,2 А
- Импульсный ток стока, IDM: −120 А по datasheet v1.1
- Максимальная рассеиваемая мощность, PD: 60 Вт
- RDS(on): ≤18 мОм при VGS = −10 В, ID = −20 А
- RDS(on): ≤30 мОм при VGS = −4,5 В, ID = −15 А
- Пороговое напряжение VGS(th): от −1,2 до −2,5 В; тип. −1,6 В
- Заряд затвора Qg: тип. 31,2 нКл
- Заряд затвор–исток Qgs: тип. 3,2 нКл
- Заряд затвор–сток Qgd: тип. 9,2 нКл
- Входная ёмкость Ciss: тип. 1363 пФ
- Выходная ёмкость Coss: тип. 250 пФ
- Обратная передаточная ёмкость Crss: тип. 210 пФ
- Прямое напряжение встроенного диода VSD: до −1,2 В
- Ток встроенного диода IS: до −20 А
- Время обратного восстановления trr: тип. 24 нс
- Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 169 мДж
- Тепловое сопротивление переход–корпус RθJC: 2,5 °C/Вт
- Рабочая температура перехода: −55…+175 °C
- Корпус: TO-252-2L / DPAK
- Монтаж: SMD
- Исполнение: Pb-Free
Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом
Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 60 Вт
- Мощность, Вт
- 60 Вт
- Тип корпуса
- TO-252-2L
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.