MOSFET транзистор NCE30P30K, P-канал, −30 В, −30 А, TO-252-2L

19130

NCE30P30K — P-канальный силовой MOSFET производства Wuxi NCE Power Semiconductor с напряжением сток–исток −30 В, постоянным током стока до −30 А и сопротивлением открытого канала до 18 мОм при VGS = −10 В. Выполнен в корпусе TO-252-2L (DPAK) для поверхностного монтажа

Подробнее

В наличии
								
							

300 ₸

Цена по прайсу: 330 ₸

Караганда
Достаточно
Самовывоз сегодняиз магазина в Караганде
Доставка от 1 дняпо всему Казахстану

Характеристики

Тип корпуса TO-252-2L
Рабочее напряжение, В ±20 В
Мощность, Вт 60 Вт
Рассеиваемая мощность, Вт 60 Вт

Подробнее

NCE30P30K представляет собой P-канальный MOSFET с индуцированным каналом, разработанный для коммутации сравнительно больших токов при низком напряжении. Производитель использует trench-структуру, обеспечивающую низкое сопротивление открытого канала и сравнительно небольшой заряд затвора.

Максимальное напряжение VDS составляет −30 В, а непрерывный ток стока при температуре корпуса 25 °C — −30 А. При 100 °C допустимый непрерывный ток снижается до −21,2 А. В версии datasheet v1.1 максимальный импульсный ток указан как −120 А.

Сопротивление открытого канала составляет максимум 18 мОм при VGS = −10 В и ID = −20 А, либо максимум 30 мОм при VGS = −4,5 В и ID = −15 А. Это позволяет использовать транзистор в высокотоковых ключах с относительно небольшими проводниковыми потерями.


Характеристики

  • Маркировка: NCE30P30K
  • Тип: силовой MOSFET
  • Канал: P-канальный
  • Режим: Enhancement Mode
  • Максимальное напряжение сток–исток, VDS: −30 В
  • Максимальное напряжение затвор–исток, VGS: ±20 В
  • Постоянный ток стока, ID: −30 А при TC = 25 °C
  • Постоянный ток стока при TC = 100 °C: −21,2 А
  • Импульсный ток стока, IDM: −120 А по datasheet v1.1
  • Максимальная рассеиваемая мощность, PD: 60 Вт
  • RDS(on): ≤18 мОм при VGS = −10 В, ID = −20 А
  • RDS(on): ≤30 мОм при VGS = −4,5 В, ID = −15 А
  • Пороговое напряжение VGS(th): от −1,2 до −2,5 В; тип. −1,6 В
  • Заряд затвора Qg: тип. 31,2 нКл
  • Заряд затвор–исток Qgs: тип. 3,2 нКл
  • Заряд затвор–сток Qgd: тип. 9,2 нКл
  • Входная ёмкость Ciss: тип. 1363 пФ
  • Выходная ёмкость Coss: тип. 250 пФ
  • Обратная передаточная ёмкость Crss: тип. 210 пФ
  • Прямое напряжение встроенного диода VSD: до −1,2 В
  • Ток встроенного диода IS: до −20 А
  • Время обратного восстановления trr: тип. 24 нс
  • Энергия одиночного лавинного импульса EAS: 169 мДж
  • Тепловое сопротивление переход–корпус RθJC: 2,5 °C/Вт
  • Рабочая температура перехода: −55…+175 °C
  • Корпус: TO-252-2L / DPAK
  • Монтаж: SMD
  • Исполнение: Pb-Free

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MOSFET транзистор NCE30P30K, P-канал, −30 В, −30 А, TO-252-2L

MOSFET транзистор NCE30P30K, P-канал, −30 В, −30 А, TO-252-2L

NCE30P30K — P-канальный силовой MOSFET производства Wuxi NCE Power Semiconductor с напряжением сток–исток −30 В, постоянным током стока до −30 А и сопротивлением открытого канала до 18 мОм при VGS = −10 В. Выполнен в корпусе TO-252-2L (DPAK) для поверхностного монтажа

Напишите свой отзыв