19130
NCE30P30K — P-канальный силовой MOSFET производства Wuxi NCE Power Semiconductor с напряжением сток–исток −30 В, постоянным током стока до −30 А и сопротивлением открытого канала до 18 мОм при VGS = −10 В. Выполнен в корпусе TO-252-2L (DPAK) для поверхностного монтажа
Будет доступен:
| Количество | Цена за единицу | Условие |
|---|
| Тип корпуса | TO-252-2L |
| Рабочее напряжение, В | ±20 В |
| Мощность, Вт | 60 Вт |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
NCE30P30K представляет собой P-канальный MOSFET с индуцированным каналом, разработанный для коммутации сравнительно больших токов при низком напряжении. Производитель использует trench-структуру, обеспечивающую низкое сопротивление открытого канала и сравнительно небольшой заряд затвора.
Максимальное напряжение VDS составляет −30 В, а непрерывный ток стока при температуре корпуса 25 °C — −30 А. При 100 °C допустимый непрерывный ток снижается до −21,2 А. В версии datasheet v1.1 максимальный импульсный ток указан как −120 А.
Сопротивление открытого канала составляет максимум 18 мОм при VGS = −10 В и ID = −20 А, либо максимум 30 мОм при VGS = −4,5 В и ID = −15 А. Это позволяет использовать транзистор в высокотоковых ключах с относительно небольшими проводниковыми потерями.
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.