MOSFET транзистор IRF7389TRPBF, N+P-канал, ±30 В, 7,3/−5,3 А, SO-8

IRF7389TRPBF — сдвоенный силовой HEXFET MOSFET, содержащий в одном корпусе комплементарную пару N-channel + P-channel.

Такое исполнение удобно для построения полумостовых схем, управления нагрузкой, DC/DC-преобразователей и других схем, где требуется пара MOSFET противоположной полярности. Производитель отдельно указывает Complementary Half Bridge, низкое RDS(on), высокую скорость переключения и avalanche-rated конструкцию.

N-канальная часть рассчитана на напряжение сток–исток 30 В и непрерывный ток до 7,3 А при TA = 25 °C. Для P-канальной части соответствующие максимальные значения составляют −30 В и −5,3 А. При TA = 70 °C допустимый ток уменьшается до 5,9 А и −4,2 А соответственно. Импульсный ток составляет до ±30 А.

При напряжении затвор–исток 10 В максимальное RDS(on) составляет 29 мОм для N-канала и 58 мОм для P-канала. При управлении от 4,5 В максимальные значения увеличиваются до 46 и 98 мОм соответственно.

Характеристики

• Производитель: Infineon Technologies / International Rectifier
• Точная маркировка: IRF7389TRPBF
• Серия: HEXFET
• Тип: сдвоенный силовой MOSFET
• Конфигурация: N-channel + P-channel
• Количество MOSFET: 2
• Напряжение VDS, N-канал: 30 В
• Напряжение VDS, P-канал: −30 В
• Постоянный ток ID, N-канал: 7,3 А при TA = 25 °C
• Постоянный ток ID, P-канал: −5,3 А при TA = 25 °C
• Ток при TA = 70 °C, N/P: 5,9 / −4,2 А
• Импульсный ток IDM: +30 / −30 А
• Максимальное VGS: ±20 В
• RDS(on), N-канал: ≤29 мОм при VGS = 10 В
• RDS(on), P-канал: ≤58 мОм при VGS = −10 В
• RDS(on), N-канал при 4,5 В: ≤46 мОм
• RDS(on), P-канал при −4,5 В: ≤98 мОм
• Общий заряд затвора Qg, N-канал: тип. 22 нКл
• Общий заряд затвора Qg, P-канал: тип. 23 нКл
• Входная ёмкость Ciss, N-канал: тип. 650 пФ
• Входная ёмкость Ciss, P-канал: тип. 710 пФ
• Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт при TA = 25 °C
• Тепловое сопротивление переход–окружающая среда RθJA: до 50 °C/Вт
• Температура перехода и хранения: −55…+150 °C
• Корпус: SO-8
• JEDEC: MS-012AA
• Количество выводов: 8
• Монтаж: SMD

Параметры приведены по официальному datasheet и странице Infineon.

Распиновка

Вид сверху:

• 1 — S1: Source N-channel
• 2 — G1: Gate N-channel
• 3 — S2: Source P-channel
• 4 — G2: Gate P-channel
• 5, 6 — D2: Drain P-channel
• 7, 8 — D1: Drain N-channel

Распиновка подтверждается схемой корпуса в официальном datasheet.

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.