Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
IRF1010E MOSFET
10989
IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип продукции | Полевой транзистор |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 200 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.012 Ом |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Крутизна характеристики, S | 69 S |
| Рабочая температура, °C | +175°C |
| Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 84 А |
| Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.