Энергонезависимая EEPROM 16 Кбит (2 Кбайт) с интерфейсом I²C до 400 кГц. Питание 2,5–5,5 В, страничная запись 16 байт, вход защиты записи WP. Корпус SOIC-8 (/SN), поверхностный монтаж.
Энергонезависимая EEPROM 64 Кбит (8 Кбайт) с интерфейсом I²C до 400 кГц. Питание 2,5–5,5 В, страничная запись 32 байта, вход защиты записи WP. Корпус SOIC-8 (/SN), поверхностный монтаж.
Энергонезависимая EEPROM 512 Кбит (64 Кбайт) с интерфейсом I²C до 400 кГц. Питание 2,5–5,5 В, страничная запись 128 байт, вход защиты записи WP. Широкий корпус SOIJ-8 (/SM), поверхностный монтаж.