Друзья, филиал в г. Астане закрыт с 25 июня 2026г.
Доставка работает во все города.
Самовывоз можно забрать только из г. Караганды.
Фильтр
Загрузка ...
Клапан электромагнитный нормально...
IXFH26N60Q, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 600 В, 250 мОм, 10 В, 4.5 В
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
FQP 5N60C, Транзистор, QFET, N-канал 600В 2.8А [TO-220F]
STP75NF75 - MOSFET Транзистор, N-канал, 75V, 75A.
Полевой N-канальный транзистор с низким напряжением затвора.
FR5505 Транзистор MOSFET, 55V, 18A, TO252AA.
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
HY4008 Транзистор MOSFET, N-канал, 80V. 200A. TO-247
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
MDF11N60 - Силовой MOSFET, N-Канал, 600V, 11A, TO-220FP
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.