Фильтр
Загрузка ...
IRF9540N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
B80NE03L-06 MOSFET Транзистор N-канал, 30 В, 80 А, 5 мОм, TO-263
BS170 является N-канальным полевым транзистором с режимом обогащения, который был изготовлен при помощи DMOS технологии высокой плотности элемента. Данный процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечивая надежную производительность.
2SK1419 MOSFET N-канал 15А 60В TO220ML
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
FQP 5N60C, Транзистор, QFET, N-канал 600В 2.8А [TO-220F]
SPW47N60C3, Транзистор, N-канал 600В 47А 70мОм [TO-247] SPW47N60C3 аналог 47N60C3
Полевой N-канальный транзистор с низким напряжением затвора.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Внимание! Данный товар является Б/У, однако проверен и...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).