Фильтр
Загрузка ...
Комплект для сборки движущейся 4-х...
B80NE03L-06 MOSFET Транзистор N-канал, 30 В, 80 А, 5 мОм, TO-263
BS170 является N-канальным полевым транзистором с режимом обогащения, который был изготовлен при помощи DMOS технологии высокой плотности элемента. Данный процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечивая надежную производительность.
2SK1419 MOSFET N-канал 15А 60В TO220ML
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
FQP 5N60C, Транзистор, QFET, N-канал 600В 2.8А [TO-220F]
STP75NF75 - MOSFET Транзистор, N-канал, 75V, 75A.
Полевой N-канальный транзистор с низким напряжением затвора.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Внимание! Данный товар является Б/У, однако проверен и...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).