> Электронные компоненты>Транзисторы>Полевые (MOSFET)

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Тип корпуса
    Структура транзистора
    Тип подключения
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В
    Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А
    Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В
    Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|
    Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|
    Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом
    Крутизна характеристики, S
    Рабочая температура, °C

    Полевые (MOSFET)

    Скидки

    на странице
    Показ 25 - 36 из 210 товаров
    • 250 тг

      STP80NF55-08 является N-канальным силовыми МОП-транзистором сквозного монтажа от компании STMicroelectronics в корпусе TO-220. Данные МОП-транзисторы изготовлены при помощи процесса Single Feature Size, в результате чего транзистор показывает очень высокую плотность при низком сопротивлении в активном состоянии, надежных лавинных характеристиках и менее...

      250 тг
      В корзину
      В наличии
    • 250 тг

      Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

      250 тг
      В корзину
      В наличии
    • 210 тг

      IRFP460 Транзистор MOSFET, NP, 25В 3,5А [SO8]

      210 тг
      В корзину
      В наличии
    • 250 тг

      IRLB3034PBF, Транзистор, N-канал 40В 343А, TO-220AB

      250 тг
      В корзину
      В наличии
    • 200 тг

      Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

      200 тг
      В корзину
      В наличии
    • 520 тг

      2SK2843 - Полевой транзистор с N-каналом

      520 тг
      В корзину
      В наличии
    • 450 тг

      Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

      450 тг
      В корзину
      В наличии
    • 240 тг
      1 Review(s)

      IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

      240 тг
      В корзину
      В наличии
    • 320 тг

      FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

      320 тг
      В корзину
      В наличии
    • 290 тг

      Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. 

      290 тг
      В корзину
      В наличии
    • 240 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      240 тг
      В корзину
      В наличии
    • 190 тг
      Новые

      IRF9520N — это силовой MOSFET-транзистор с P-каналом, рассчитанный на работу в мощных электронных схемах.

      190 тг
      В корзину
      В наличии
    Показ 25 - 36 из 210 товаров