11120
BC517, NPN составной (Дарлингтон) транзистор
Будет доступен:
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 0.63 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 40 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 30 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 0.5 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 30000 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 220 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 10 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.