11478
Транзистор NPN структуры 400В 8А 80Вт в корпусе TO220AB
Будет доступен:
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 80 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 700 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 400 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 8 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 30 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 4 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 9 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.