11749
MJE340G - биполярный транзистор с npn переходом.
Будет доступен:
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 20.8 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 300 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 300 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 0.5 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 240 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 30 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 3 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.