BFG135, Биполярный транзистор NPN 15В 150мА

11751

Биполярный транзистор, BFG135, NPN 15В 150мА 5.9ГГц SOT223

								
							
Цена по прайсу: 319 тг

290 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура транзистораNPN
Рассеиваемая мощность, Вт1 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В25 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В15 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А0.15 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)80
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц7000 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В2 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

BFG135, Биполярный транзистор NPN 15В 150мА

BFG135, Биполярный транзистор NPN 15В 150мА

Биполярный транзистор, BFG135, NPN 15В 150мА 5.9ГГц SOT223

Напишите свой отзыв