2SD798 Биполярный транзистор

11766

2SD798 - Биполярный низкочастотный npn транзистор

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 594 тг

540 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура транзистораNPN
Рассеиваемая мощность, Вт30 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В600 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В300 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А6 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)3000
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В

Подробнее

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 35


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

2SD798 Биполярный транзистор

2SD798 Биполярный транзистор

2SD798 - Биполярный низкочастотный npn транзистор

Напишите свой отзыв