11766
2SD798 - Биполярный низкочастотный npn транзистор
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 30 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 600 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 300 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 6 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 3000 |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 35
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.