MJ11015, транзистор биполярный

11954

Биполярный транзистор MJ11015: 30 A, 120 V PNP

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 616 тг

560 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура транзистораPNP
Рассеиваемая мощность, Вт200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В120 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В120 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А30 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)2000
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В5 В

Подробнее

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 200

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

Корпус транзистора: TO3


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MJ11015, транзистор биполярный

MJ11015, транзистор биполярный

Биполярный транзистор MJ11015: 30 A, 120 V PNP

Напишите свой отзыв