MJ11016, транзистор биполярный

Артикул 11955

Биполярный транзистор MJ11016: 30 A, 120 V, NPN

Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	120 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	120 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	0.8 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	2000
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 200

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

Корпус транзистора: TO3

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Datasheet - MJ11016

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину