КТ816В (BD236), Транзистор PNP, низкочастотный

Артикул 11973

КТ816В (BD236), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-126
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	PNP
Рассеиваемая мощность, Вт	25 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	60 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	60 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	2 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	25
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	3 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В
Рабочая температура, °C	+150°C

Datasheet - КТ816В

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину