10210
Биполярный низкочастотный pnp транзистор
Будет доступен:
| Количество | Цена за единицу | Условие |
|---|
| Структура BJT Номинальное значение | PNP Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Количество каналов Номинальное значение | 1 Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| MPN производителя Номинальное значение | TIP127 Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Тип монтажа Номинальное значение | Монтаж в отверстия Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Корпус (типоразмер) Номинальное значение | TO-220 Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Режим подключения Номинальное значение | 1 B; 2 C; 3 E; tab C При условиях, указанных в источнике Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Количество выводов Номинальное значение | 3 Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Семейство товара Номинальное значение | Транзисторы Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Технология транзистора Номинальное значение | BJT Документ производителя, стр. 1 · DS0854 Rev. 5, May 2021 |
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | PNP |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 65 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 100 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 5 A |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 1000 |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.