MJ802 Транзистор, NPN 100В 30А [TO-3]

Артикул 14018

Рейтинг

Тип продукции	Биполярный транзистор
Тип корпуса	TO-3
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	100 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	90 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	30 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	25
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	2 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	4 В
Рабочая температура, °C	+200°C

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Datasheet - MJ802

Оценка

Кирилл Ю 31.07.2021

Очень маленький кристалл, нет подложки под кристаллом. Очень тонкие проводники к кристаллу. Там и 10ю Амперами не пахнет.

Добавлено в корзину