14929
UMX1N - Биполярный высокочастотный npn транзистор
Будет доступен:
Тип продукции | Биполярный транзистор |
Тип корпуса | SOT353 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 0.15 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 60 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 50 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 0.15 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 120 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 180 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 7 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Маркировка: X1
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.