UMX1N (1X) Биполярный транзистор

14929

UMX1N - Биполярный высокочастотный npn транзистор

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 55 тг

50 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Биполярный транзистор
Тип корпуса SOT353
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора NPN
Рассеиваемая мощность, Вт 0.15 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В 60 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 50 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А 0.15 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe) 120
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц 180 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В 7 В
Рабочая температура, °C +150°C

Подробнее

Маркировка: X1


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

UMX1N (1X) Биполярный транзистор

UMX1N (1X) Биполярный транзистор

UMX1N - Биполярный высокочастотный npn транзистор

Напишите свой отзыв