Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 13 декабря, филиал в городе Алматы не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
15806
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 600 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 120 A |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
| Наличие встроенного диода | Нет |
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название биполярный.
Спецификация:
Структурная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.