FGA60N65SMD, биполярный транзистор IGBT, 650В, 120А, 600Вт

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название биполярный.

Спецификация:

• Наименование: FGA60N65SMD;
• Тип управляющего канала: N-Channel;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W;
• Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V;
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V;
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 A;
• Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A;
• Максимальная температура перехода: 175°C;
• Время нарастания: 47 nc;
• Емкость коллектор: 270 pF;
• Рабочая температура: от -55°C до +175°C;
• Корпус: TO-3PN.

Структурная схема:

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.