Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
16271
Изготовлено по технологии плоского базового острова с монолитной конфигурацией Дарлингтона.
Будет доступен:
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | NPN |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 80 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 80 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 8 A |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 750 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 20 МГц |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).
Спецификация:
Внутренняя принципиальная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.