10872
2SC5570 - Биполярный транзистор с npn переходом
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
Структура транзистора | NPN |
Рассеиваемая мощность, Вт | 220 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 1700 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 800 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 14 A |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 48 |
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 2 МГц |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.