2SC5570 Транзистор

Артикул 10872

2SC5570 - Биполярный транзистор с npn переходом

Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	220 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	1700 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	800 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	14 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	48
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	2 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В

Добавлено в корзину