BD876 биполярный транзистор

Артикул 10935

Биполярный высокочастотный тразнистор с npn переходом BD876.

Структура транзистора	NPN
Рассеиваемая мощность, Вт	9 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В	60 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	45 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А	1 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)	4000
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц	100 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В	5 В

Тип: Биполярный транзистор
Материал: Кремний
Применение: Пара дарлингтона, управление питанием
Аналоги: BDX45; BD676; BD678;

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Техническое описание

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину