Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 13 декабря, филиал в городе Алматы не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
11119
RJH60D2DPP-M0 - Транзистор IGBT, 600В, 25A
Будет доступен:
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 34 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 25 A |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 В |
| Управляющее напряжение, В | 6 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Наличие встроенного диода | Да |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.