FGH40N60SMD, IGBT 600В 40А

11191

FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 1 843 тг

1 675 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт174 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А40 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.9 В
Управляющее напряжение, В6 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +175°C

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGH40N60SMD, IGBT 600В 40А

FGH40N60SMD, IGBT 600В 40А

FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв