> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы>SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А
SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

11261

G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Цена по прайсу: 1 100 тг

1 000 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO3P
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт160 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А40 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.1 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Наличие встроенного диодаДа

Файлы для загрузки

Документы SGH40N60UFD

Файлы для загрузки (647k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв