SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

11261

G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 1 166 тг

1 060 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт160 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А40 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.1 В
Управляющее напряжение, В6.5 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

SGH40N60UFD (G40N60UFD), IGBT 600В 40А

G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв