Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
RJH60F5DPQ Транзистор
11326
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Этого товара нет в наличии
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Мощность, Вт | 260 Вт |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 В |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.37 В |
| Управляющее напряжение, В | 8 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.