RJH60F7DPQ Транзистор

11327

RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 2 431 тг

2 210 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт328 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А50 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.37 В
Управляющее напряжение, В1.75 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

RJH60F7DPQ Транзистор

RJH60F7DPQ Транзистор

RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв