Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 ₸ Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
RJH60F7DPQ Транзистор
11327
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-247A |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 328 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 90 А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.37 В |
| Управляющее напряжение, В | 1.75 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Наличие встроенного диода | Да |
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.