RJH60F7DPQ Транзистор
11327
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип транзистора | IGBT |
| Конструкция | Одиночный |
| Корпус | TO-247A |
| Напряжение коллектор–эмиттер IGBT | 600 В (TC = 25 °C; при TC = 100 °C — 50 А; не импульсные 180 А; паспорт RJH60F7DPQ-A0, закупочная карточка подтверждает семейство RJH60F7DPQ) |
| Постоянный ток коллектора | 90 А (TC = 25 °C; при TC = 100 °C — 50 А; не импульсные 180 А; паспорт RJH60F7DPQ-A0, закупочная карточка подтверждает семейство RJH60F7DPQ) |
| Рассеиваемая мощность | 328,9 Вт (TC = 25 °C; при TC = 100 °C — 50 А; не импульсные 180 А; паспорт RJH60F7DPQ-A0, закупочная карточка подтверждает семейство RJH60F7DPQ) |
| Тип монтажа | Выводной (THT) |
Подробнее
Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом
Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.
- Тип продукции
- IGBT транзистор
- Тип подключения
- Контакты для пайки
- Структура транзистора
- N-канал
- Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
- 600 В
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 328 Вт
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
- 90 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе, В
- 1.37 В
- Управляющее напряжение, В
- 1.75 В
- Рабочая температура, °C
- от -55°C до +150°C
- Тип корпуса
- TO-247A
- Наличие встроенного диода
- Да
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.