11328
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Будет доступен:
Мощность, Вт | 378 Вт |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 60 A |
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 В |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
Управляющее напряжение, В | 6.5 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.