GT30G122, IGBT Транзистор

11835

IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V

								
							
Цена по прайсу: 495 тг

450 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-220F
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 25 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 400 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 30 A
Рабочая температура, °C +150°C
Наличие встроенного диода Нет

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

GT30G122, IGBT Транзистор

GT30G122, IGBT Транзистор

IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V

Напишите свой отзыв