Транзисторный модуль FF300R12KE3

Артикул 13049

Тип продукции	IGBT модуль
Тип корпуса	AG-62MM-1
Тип подключения	винтами, коннекторы FASTON
Структура транзистора	IGBT
Рассеиваемая мощность, Вт	1450 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	440 А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.7 В
Управляющее напряжение, В	20 В
Рабочая температура, °C	от -40°C до +125°C
Наличие встроенного диода	Нет

Datasheet - FF300R12KE3

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину