10318
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 290 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.