FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

10318

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 2 002 тг

1 820 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Мощность, Вт290 Вт
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А80 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5 В
Управляющее напряжение, В5 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв