FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

10318

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 2 299 тг

2 090 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 290 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 80 A
Рабочая температура, °C от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода Да

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв