FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

10318

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

								
							
Цена по прайсу: 1 595 тг

1 450 тг


Караганда:
       
Алматы:
       

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ (Uce),В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. (Ic) С,A80
Напряжение насыщения при номинальном токе (Ucesat), В2.5
Управляющее напряжение (Uge(th)),В5
Мощность макс. (Pd),Вт290
Температурный диапазон (Tj),С-55…+150
Тип корпусаTO-247

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

FGH40N60 SFD, IGBT 600В 80А

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) —
трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Напишите свой отзыв