Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
FP50R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
13422
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
Товар по предзаказу. Срок поставки 3-5 недель
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип продукции | IGBT модуль |
| Тип подключения | винтами, коннекторы FASTON |
| Структура транзистора | IGBT |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 75 А |
| Рабочая температура, °C | от -40°C до +125°C |
| Наличие встроенного диода | Нет |
Подробнее
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Высота: 17 mm
Длина: 122 mm
Ширина: 62 mm
Вид монтажа: Screw
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Другие названия товара №: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.