14902
IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | D2PAK |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 16 А |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.