FGL40N120AN IGBT транзистор, 1200V, TO-264

15268

Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 3 850 тг

3 500 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-264
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт500 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А64 А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.6 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Наличие встроенного диодаНет

Подробнее

IGBT транзистор представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.

Спецификация:

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 1200V;
  • Ток коллектора : 64A;
  • Импульсный ток коллектора: 120A;
  • Максимальная рассеиваемая мощность при 25°C: 500W;
  • Рабочая температура: от -55°C до 150°C;
  • Производитель: Китай;
  • Тип корпуса: TO-264.

Подключение:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

FGL40N120AN IGBT транзистор, 1200V, TO-264

FGL40N120AN IGBT транзистор, 1200V, TO-264

Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

Напишите свой отзыв