15806
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-3PN |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 600 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 120 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
Наличие встроенного диода | Нет |
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название биполярный.
Спецификация:
Структурная схема:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.