10590
FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-3P |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 312 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 90 А |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.